В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.
В нашей электронной библиотеке вы можете скачать книгу
«Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 5» автора Юрия Ракова
в формате epub, fb2, rtf, mobi, pdf себе на телефон, андроид, айфон, айпад, а так же читать онлайн и без регистрации. Ниже вы можете оставить отзыв о прочитанной или интересующей вас книге.
